超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的專利分析

打開文本圖片集

摘 要：【目的】氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體，具有耐高壓、耐高溫、功率大、抗輻照等特性，極有可能在未來成為高功率、大電壓應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)者，在全球科研與產(chǎn)業(yè)界引起了廣泛重視。從專利角度對氧化鎵材料進行分析，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和專利布局提供參考?！痉椒ā炕谌蛳嚓P(guān)專利數(shù)據(jù)，從專利申請趨勢、專利權(quán)人排名、技術(shù)來源國、技術(shù)領(lǐng)域IPC分類等維度對氧化鎵材料進行分析。（剩余5869字）