InAs/GaSb超晶格臺(tái)面刻蝕工藝研究綜述

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摘  要：      本文綜述了InAs/GaSb超晶格臺(tái)面刻蝕工藝研究。 從濕法和干法刻蝕的物理化學(xué)機(jī)理以及參數(shù)調(diào)控等方面進(jìn)行分析， 旨在闡明工藝條件對(duì)臺(tái)面形貌的影響， 以抑制帶隙較窄的長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波超晶格表面漏電流。 結(jié)果表明， 濕法刻蝕中恰當(dāng)?shù)母g液配比可以實(shí)現(xiàn)兩種組分的均勻性刻蝕， 而不會(huì)導(dǎo)致粗糙的表面和嚴(yán)重的下切；  干法刻蝕中， 采用Cl2基和CH4基混合氣體， 通過(guò)調(diào)整刻蝕氣體類型及比例可實(shí)現(xiàn)物理和化學(xué)刻蝕兩個(gè)過(guò)程的平衡， 保證臺(tái)面?zhèn)缺谄交院蛢A角的垂直度。（剩余20950字）