皮秒脈沖隱形切割碳化硅晶圓實(shí)驗(yàn)研究

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關(guān)鍵詞：光纖激光器;高能量皮秒脈沖;隱形切割;4H-SiC 晶圓

引言

近年來(lái)，碳化硅（SiC）襯底芯片憑借耐高壓、耐高溫、飽和電子漂移速度快等諸多特點(diǎn)在電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)展迅速。在半導(dǎo)體器件封測(cè)環(huán)節(jié)中，晶圓襯底切割的效率和良率是影響芯片質(zhì)量和性?xún)r(jià)比的重要因素。目前，晶圓襯底的切割技術(shù)主要分為機(jī)械切割和激光切割兩大類(lèi)。（剩余6373字）