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石墨烯半浮柵場效應(yīng)晶體管的制備與電學(xué)特性研究

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關(guān)鍵詞：石墨烯;半浮柵;場效應(yīng)晶體管;存儲器

引言

2004 年，曼徹斯特大學(xué)的Geim 等分離石墨烯并證明了石墨烯以獨立狀態(tài)存在后，石墨烯獨特的物理和光學(xué)性質(zhì)引起了廣泛的研究興趣[1]。作為一種零帶隙的半導(dǎo)體材料，石墨烯的載流子有效質(zhì)量為零，其載流子的本征遷移率可以達(dá)到2×105 cm2V?1s?1[2]。（剩余4668字）

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