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SiO2添加量對CZP陶瓷力學(xué)及介電性能影響

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摘 要:本文研究了SiO2添加量對CZP(CaZr4P6O24)陶瓷力學(xué)性能和介電性能的影響。通過XRD分析、顯微結(jié)構(gòu)觀察和抗彎強(qiáng)度測試等手段,探討了不同SiO2添加量下CZP陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)變化和力學(xué)性能表現(xiàn)。結(jié)果表明,適量SiO2的加入可以顯著提高CZP陶瓷的抗彎強(qiáng)度,而過量或過少的SiO2添加都不利于陶瓷力學(xué)性能的提升。(剩余4591字)

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