一二次融合環(huán)網(wǎng)柜內(nèi)置EVT的內(nèi)錐套管局部放電分析

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摘  要：

為解決一二次融合環(huán)網(wǎng)柜內(nèi)置電子式電壓互感器（EVT）的內(nèi)錐套管存在的局部放電問題，首先對其進行靜電場分析，提取電場較為集中區(qū)域的電場分布;然后依據(jù)高電壓電極均壓技術(shù)及氣固復合絕緣理論，對EVT中心銅棒的結(jié)構(gòu)和EVT端面形狀及其與套管高壓端面的配合間隙進行優(yōu)化。優(yōu)化后內(nèi)置EVT的內(nèi)錐套管三交界沿面最大場強由2.85 kV/mm降至1.75 kV/mm，套管端面最大場強由3.90 kV/mm降至2.35 kV/mm，理論上驗證了所提方法的可行性。（剩余7130字）