B摻雜Co基氧化物/氫氧化物電極材料的制備及其贗電容性能

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摘 要：采用先化學(xué)鍍再電化學(xué)氧化的工藝在薄銅片基體表面制備出了摻雜B和未摻雜B的2種Co基氧化物/氫氧化物電極材料，并對其進行了結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)性能測試。研究結(jié)果表明，2種電極材料表面相均由Co3O4和Co（OH）3構(gòu)成，摻雜B的電極材料中B以氧化物的形式摻雜其中，摻雜量可達2.6wt%。電化學(xué)性能測試表明，2種電極材料均具有良好的可逆性，B摻雜后其比電容較未摻雜時提高了至少2.5倍，經(jīng)歷10000次充放電循環(huán)實驗后，摻雜B的電極材料的比電容保有率從98%提高到106%，說明B的摻雜有利于提高電極材料的比電容性能和電化學(xué)性能;阻抗譜實驗表明，B的摻雜降低了電極材料表面電化學(xué)反應(yīng)的電荷傳遞電阻，從而提高了其比電容。（剩余8535字）