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熱處理Hastelloy合金基帶對生長NiO薄膜的影響

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摘 要:該研究采用射頻磁控濺射方法在經(jīng)過熱處理的Hastelloy合金基帶上生長NiO緩沖層,探究了不同退火條件對生長NiO緩沖層的結(jié)構(gòu)和形貌的影響.XRD和AFM測試結(jié)果表明,在流氧中退火溫度為850℃、退火時(shí)間為20min時(shí)可在基帶表面形成一層連續(xù)的NiO薄膜,這能改善基帶與緩沖層的晶(剩余5399字)

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