Ga₂O₃/p-GaN異質(zhì)結(jié)自供電日盲紫外光探測(cè)器的制備與光電性能研究

打開(kāi)文本圖片集

摘      要：采用水熱法在p-GaN襯底上生長(zhǎng)Ga2O3納米棒陣列，構(gòu)建了Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)自供電日盲紫外光探測(cè)器。首先對(duì)異質(zhì)結(jié)的形貌和結(jié)構(gòu)性能進(jìn)行了研究，并進(jìn)一步對(duì)異質(zhì)結(jié)紫外光探測(cè)器的伏安特性和紫外光探測(cè)性能進(jìn)行了探索。結(jié)果表明在0 V偏壓和254 nm紫外光照下，器件表現(xiàn)出明顯的自供電日盲紫外光響應(yīng)，響應(yīng)度為718.8 mA/W，并具有良好的穩(wěn)定性和重復(fù)性。（剩余6068字）