超快激光在多晶硅還原爐的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)化研究

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摘 要：針對(duì)電子級(jí)多晶硅還原爐底盤(pán)附著的殘留物，研究超快激光技術(shù)在電子級(jí)多晶硅還原爐的應(yīng)用。通過(guò)超快激光電子級(jí)多晶硅還原爐清洗設(shè)備結(jié)構(gòu)，分析其清洗電子級(jí)多晶硅還原爐設(shè)備過(guò)程。選取試驗(yàn)材料、試劑和設(shè)備后，分別制備含有無(wú)定形硅粉、氯硅烷水解物、二氧化硅粉塵、甲基硅油油脂、多晶硅顆粒等污染物的基板作為還原爐污染樣本；并以制備的還原爐污染樣本為基礎(chǔ)，設(shè)定初始條件和邊界條件后，展開(kāi)電子級(jí)多晶硅還原爐污染試件清洗試驗(yàn)。（剩余6438字）