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Cd3As2摻雜Cd3P2納米結(jié)構(gòu)的制備及其熱電性能

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摘   要：采用高壓燒結(jié)法制備了Cd3（P1-xAsx）2（x=0，0.1，0.2）塊體合金，然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）蒸發(fā)母合金粉末到云母襯底上的方法，成功制備了摻雜Cd3As2的Cd3P2納米結(jié)構(gòu)樣品。所獲得的Cd3P2樣品均具有四方結(jié)構(gòu)（P42/nmc空間群）。（剩余10276字）

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