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摘要 單晶碳化硅具有高硬度和高化學(xué)惰性,化學(xué)機械拋光方法難以同時保證其加工效率和表面質(zhì)量。電化學(xué)機械拋光具有較高的材料去除率,是加工碳化硅的一種有效方法。然而,目前針對碳化硅電化學(xué)機械拋光液的相關(guān)研究還較為缺乏。為此,首先通過單因素實驗確定電化學(xué)機械拋光液中導(dǎo)電介質(zhì)和磨粒種類,然后分析導(dǎo)電介質(zhì)和磨粒濃度以及拋光液pH值對材料去除率和表面粗糙度的影響規(guī)律,最終確定拋光液的最佳參數(shù)。(剩余19663字)
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單晶碳化硅電化學(xué)機械拋光液的組分設(shè)計與優(yōu)化
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