基于硅光電倍增管的Cs2 LiYCl6( CLYC) 探測(cè)器快中子輻照效應(yīng)研究

打開文本圖片集

摘 要：實(shí)驗(yàn)通過將硅光電倍增管（ silicon photomultiplier，SiPM） 器件和Cs2 LiYCl6（ CLYC） 閃爍體探測(cè)器暴露于14MeV 的快中子場(chǎng)中，最高累積注量達(dá)到1. 53×1011 cm-2 ，分析了中子輻照對(duì)SiPM 器件參數(shù)和CLYC 探測(cè)器性能的影響。重點(diǎn)研究了不同注量輻照前后，SiPM 的增益、暗計(jì)數(shù)率、暗電流、擊穿電壓和淬滅電阻等參數(shù)， 以及CLYC 探測(cè)器探測(cè)性能的變化情況和原因，其中暗計(jì)數(shù)率最高上升了3 個(gè)數(shù)量級(jí)，暗電流最高上升了2 個(gè)數(shù)量級(jí)，CLYC 探測(cè)器的能量分辨率去除本底后下降了1. 4%。（剩余232字）