B摻雜量對(duì)NiO/Ni(OH)2電極材料贗電容性能的影響

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摘      要：超級(jí)電容器在儲(chǔ)能裝置中占有重要的地位，近年來(lái)得到了廣泛應(yīng)用。影響超級(jí)電容器性能最重要因素是電極材料，而摻雜硼的鎳基氧化物/氫氧化物復(fù)合電極材料具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。在柔性銅片上先化學(xué)鍍?cè)匐娀瘜W(xué)原位氧化制備出4種不同B摻雜量的NiO/Ni（OH）2電極材料，掃描電鏡（SEM/EDX）、X射線衍射（XRD）和X射線光電子能譜（XPS）測(cè)試結(jié)果揭示電極材料表面呈微米微球結(jié)構(gòu)，主要由NiO和Ni（OH）2構(gòu)成，B以氧化物的形式摻雜，其中化學(xué)鍍液中硼氫化鈉添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時(shí)制備的NiO/Ni（OH）2（2B）電極材料樣品實(shí)現(xiàn)最高B摻雜量，質(zhì)量分?jǐn)?shù)可達(dá)15.7%；電化學(xué)測(cè)試結(jié)果顯示隨著電極材料中B摻雜量的提高，其比電容增加，循環(huán)性能更優(yōu)異，原因是電極材料表面含B時(shí)能增加其與電解液的接觸和潤(rùn)濕作用，降低表面電化學(xué)反應(yīng)的電荷傳遞電阻，從而加速表面電化學(xué)反應(yīng)，表現(xiàn)出較高的比電容。（剩余10738字）